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      样片申请 | 简体中文
      SiLM2660/61
      适用于电池充放电的高边 NMOS 驱动器
      样片申请
      SiLM266x_Datasheet
      产品概(gài)述
      产品(pǐn)特(tè)性
      安规认证
      典型应(yīng)用(yòng)图
      产品概述

      SiLM2660/61是(shì)用于(yú)电(diàn)池充电/放电系(xì)统控制的(de)低功耗、高边N沟道FET驱动器。高边保护功能可避免系统的接地引脚断开连接,以确保电池组和主机系统之(zhī)间的持续通信。SiLM2660具有额外的PFET控(kòng)制输出,以(yǐ)允许(xǔ)对深度放电(diàn)的电池(chí)进行低电流预充(chōng)电,并(bìng)且还(hái)集成了用于主机监控的电池PACK+电压检测。

      独立的使能输入(rù)接口允许电池充电和放电(diàn)FET分别导(dǎo)通和关断(duàn),为(wéi)电池系统保护提供可靠性和设计灵(líng)活性(xìng)。


      产品(pǐn)特性

      高边NFET驱动器,具有极短的开启和关闭时间(jiān),用于(yú)迅(xùn)速(sù)保(bǎo)护电(diàn)池。

      预充电PFET驱动器为深度耗尽(jìn)的电(diàn)池组提供电流限制(zhì)的预充电功能(仅适用于SiLM2660)。

      充电和放电的独立(lì)使能控制。

      基于外部电容器可扩展的电荷泵,可适用多颗NFET并联驱动。

      高的输(shū)入耐压(yā)值(最大100V)。

      可(kě)配置(zhì)的电池(chí)组电压检测功能(仅适用(yòng)于SiLM2660)。

      支持可配置的通用(yòng)和独立充电和放电(diàn)路径管理(lǐ)。

      低功耗:正(zhèng)常(cháng)模式:40uA;待机模式:小于10uA。

      安规认证
      典(diǎn)型应用(yòng)图

      产品参数表(biǎo)

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      Part Number Vin (Max) (V) Shut Down Current typ. (uA) Absolute Breakdown Voltage(v) Operating Temp(℃) Package Group Packing/QTY
      SiLM2660CD-DG906100–40 ~ 85TSSOP16Reel/3000
      SiLM2661CA-DG906100–40 ~ 85SOP8Reel/2500
      应用案例

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