SiLM2660/61是(shì)用于(yú)电(diàn)池充电/放电系(xì)统控制的(de)低功耗、高边N沟道FET驱动器。高边保护功能可避免系统的接地引脚断开连接,以确保电池组和主机系统之(zhī)间的持续通信。SiLM2660具有额外的PFET控(kòng)制输出,以(yǐ)允许(xǔ)对深度放电(diàn)的电池(chí)进行低电流预充(chōng)电,并(bìng)且还(hái)集成了用于主机监控的电池PACK+电压检测。
独立的使能输入(rù)接口允许电池充电和放电(diàn)FET分别导(dǎo)通和关断(duàn),为(wéi)电池系统保护提供可靠性和设计灵(líng)活性(xìng)。
高边NFET驱动器,具有极短的开启和关闭时间(jiān),用于(yú)迅(xùn)速(sù)保(bǎo)护电(diàn)池。
预充电PFET驱动器为深度耗尽(jìn)的电(diàn)池组提供电流限制(zhì)的预充电功能(仅适用于SiLM2660)。
充电和放电的独立(lì)使能控制。
基于外部电容器可扩展的电荷泵,可适用多颗NFET并联驱动。
高的输(shū)入耐压(yā)值(最大100V)。
可(kě)配置(zhì)的电池(chí)组电压检测功能(仅适用(yòng)于SiLM2660)。
支持可配置的通用(yòng)和独立充电和放电(diàn)路径管理(lǐ)。
低功耗:正(zhèng)常(cháng)模式:40uA;待机模式:小于10uA。
400 080 9938