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SiLM2014A

200V低压驱动（dòng）芯片

样片申请（qǐng）

SiLM2014A_Datasheet

产品概述

产（chǎn）品特性

安规认证

典型应（yīng）用（yòng）图

产品概述

SiLM2014A 是一款高（gāo）压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集成电路和（hé）锁（suǒ）存免疫的CMOS技（jì）术可（kě）提供（gòng）可靠（kào）的（de）单芯片驱（qū）动方案。逻（luó）辑输入电平与（yǔ）标准（zhǔn）CMOS或（huò）LSTTL输（shū）出兼容，最低支持3.3V逻（luó）辑。输出驱动器具有高脉冲（chōng）电流（liú）缓冲（chōng）级（jí），以减小（xiǎo）驱动器（qì）交叉导通。浮（fú）动通（tōng）道可用于驱（qū）动高边配（pèi）置的N型（xíng）沟道功率MOSFET或（huò）IGBT，工作（zuò）电（diàn）压可（kě）高达200V。

产品特性（xìng）

为自举操作（zuò）设计的浮（fú）动通道

完全运行时电压高达 200V

容许瞬间负电压（yā），不受 dV/dt 影响

驱动电（diàn）源范围（wéi）从 10V 到 18V

欠（qiàn）压闭锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容（róng）

驱动（dòng）电（diàn）流：1A/1.5A

防止交叉导通逻辑

两通道间匹配传输（shū）延迟

输（shū）出信号与输入信号同相

通（tōng）过无铅认证