米兰网页版-米兰(中国)

SLM2009

200V低压驱动芯片

样片申请（qǐng）

SLM2009 Datasheet

产品概述（shù）

产品特性

安规认证

典型（xíng）应用图

产品概述

SLM2009 是一款高压、高速（sù）的（de）功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压（yā）集成（chéng）电路和锁存免疫的CMOS技术可提供可靠的单芯（xīn）片驱动方案（àn）。逻（luó）辑输（shū）入电平与标准CMOS或LSTTL输（shū）出兼（jiān）容，最低（dī）支持3.3V逻辑。输出驱动器（qì）具有高脉冲电流缓冲级（jí），以减小（xiǎo）驱动（dòng）器（qì）交（jiāo）叉导通。浮（fú）动通道（dào）可用于驱动高边配置的N型（xíng）沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产品特性（xìng）

为（wéi）自举操作设计的浮动通道

完全运（yùn）行时电压高达（dá） 200V

容许瞬（shùn）间负电压（yā），不受 dV/dt 影（yǐng）响

驱动电源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 逻辑输入兼容（róng）

驱动电流：1A/1.5A

防止交叉导通逻辑

两通道间（jiān）匹配传（chuán）输延迟（chí）

输出信号与（yǔ）输入信号同相

通过无铅认（rèn）证